·出現(xiàn)沸騰表面、起泡表面或易生成泡沫液面時，使用FMR53或FMR54測量。根據泡沫的具體成份，泡沫可以吸收微波，或微波在泡沫表面發(fā)生發(fā)射。在特定條件下，測量仍可進行。使用FMR50、FMR51和FMR52測量時，建議選擇附加選項“動態(tài)響應”(訂購選項540:“應用軟件包”，選型代號:EM)。
·出現(xiàn)嚴重蒸汽或冷凝現(xiàn)象時，E+H雷達物位計FMR50、FMR51和FMR52的大測量范圍可能會減小，取決于蒸汽的密度、溫度和成份>請使用FMR53或FMR54測量。
·測量吸附性氣體時，例如:氨氣NH3或某些碳氫化合物2)，請在導波管中使用Levelflex或Micropilot FMR54測量。
·波束射至罐底的位置即為量程起點。特別是在圓盤底罐或帶錐形出料口的罐體中，物位低于此點，便無法測量。
·在導波管中測量時，電磁波不會*擴散至導波管外部，應將零點設置在導波管底部。在C范圍內測量時，測量精度將降低。為了確保此類應用場合中所需的測量精度，建議將零點設置在導波管底部上方的C。
·測量低介電常數(shù)的介質時(e,=1...4)3)，如果介質處于較低物位(低于C),罐底可見。在此范圍內測量時，精度將降低。如無法接受，在此類應用場合中，建議將零點設置在罐底上方的C。
·理論上，E+H雷達物位計大可測量至FMR51、FMR53和FMR54天線末端。但是，考慮腐蝕和粘附的影響，大量程與天線末端間的距離不得小于A。
·使用帶平面天線的FMR54測量時，特別是測量低介電常數(shù)的介質時，大量程與法蘭間的距離不得小A:1 m(3.28 ft)。
小測量范圍B取決于天線類型。.罐體高度應至少為H(參考下表)。
